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目前FPD所用的ITO烧成的靶材应该是单一的三氧化二铟相结构。所采用的工艺基本上是热等静压和热压，这是目前国际上生产ITO靶材的主流工艺，韩国目前三星一家，其技术主要来源于日本，产品一部分采用STN，但主要用于TFT液晶生产，但其产品仍有缝隙（空洞）。我们的钼铌合金靶材可以避开这个不足。
特点：低透湿性、高柔软性、透明介质性开发用钼铌合金替代ITO的材料。高功率、低电阻率、低脆性、合金的组织与成分都分布均匀、晶粒细化、耐腐蚀、高反射、低电阻率、刻蚀性能可稳定蒸发速率、低蒸发温度、低功函数。我们有专业的团队生产细晶粒、高质量的钼铌合金靶材。我们还为您提供钼钽合金靶、钨钼合金靶、钨靶、钼靶、钽靶、铌靶、铬靶、铱靶、镍靶等金属靶材。
